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小白科普:芯片漏电定位方法
1970年01月01日 08:00 分析仪器产业网


小白科普:芯片漏电定位方法


原创  仪准科技 王福成


文章为多年工作经验总结,供大家交流参考,若转载请写明出处。


芯片漏电是失效分析案例中常见的,找到漏电位置是查明失效原因的前提,液晶漏电定位、EMMICCDInGaAs)、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来,在中国半导体产业有个误区,认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家科普一下激光诱导(laser scan Microscope).


     目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法,这三种方法分别被申请了专#利(日本OBIRCH、美国TIVA、##加坡VBA)。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导,其实TIVAVBAOBIRCH是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下,侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化,这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映,下面是三个技术原理:


                  1OBIRCHTIVA


   


如上图是一个器件的漏电回路,R1代表漏电点的阻抗,I1代表回路电流,V代表回路上的电压。


OBIRCH;给器件回路加上一个电压V,然后让激光在芯片表面进行扫描,同时监测回路电流I1的变化.


TIVA:给器件回路加上一个微小电流I1,然后让激光在芯片表面进行扫描,同时监测回路电压V的变化.


2VBA技术


 


如上图是一个器件的漏电回路,R1代表漏电点的阻抗,I1代表回路电流,V1代表回路上的电压,R2是串联在回路中的一个负载,V2R2两端的电压。


OBIRCH;给器件回路加上一个电压V1,然后让激光在芯片表面进行扫描,同时监测V2的变化(V2/R2=I1,其实也是监测I1的变化),这样大家可以看出来了,VBA其实就是OBIRCH,只是合理回避了NEC#利。


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