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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40

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后更新时间:2022-05-12
人气值 6
品牌:
KRI
 
 
 
售后服务:由伯东企业(上海)有限公司从上海浦东新区发货,并提供售后服务
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    上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内离子源 RFICP 40 设计采用创##的栅极技术用于研发和开发应用离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

    射频离子源 RFICP 40 特性:

    1.       离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.

    2.       离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效##化蚀刻率和均匀性.

    3.       提供聚焦, 发散, 平行的离子束

    4.       离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

    5.       栅极材质钼和石墨,坚固耐用

    6.       离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

                                                   

    KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

    型号

    RFICP 40

    Discharge 阳极

    RF 射频

    离子束流

    >100 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    4 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    3-10 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    12.7 cm

    直径

    13.5 cm

    中和器

    LFN 2000

    KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:

    预清洗

    表面改性

    辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,

    溅镀和蒸发镀膜 PC

    离子溅射沉积和多层结构 IBSD

    离子蚀刻 IBE


    1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东邓女士分机134


  • 位于中国上海浦东外高桥保税区的伯东企业(上海)有限公司创建于1995年12月,是日本伯东株式会社独资设立的外商投资企业,公司注册资金为800万美元。    本公司主要是一家以经营电子接插件、线束、电线以及机械设备、真空产品等精密仪器、设备的维修,以及以半导体制造装置、基板制造装置、电脑软件为主的国际贸易、转口贸易及保税区企业间贸易及保税区贸易代理、贸易及相关技术咨询的公司。 公司一直坚持品质一、信誉至上的原则,为广大客户提供了高品质的产品以及良好的售后服务。到目前为止已先后通过了美国UL安全认证、 ISO9001-2000质量体系认证、ISO14001-1996环境体系认证。公司将在今后的发展中秉承以人为本,不断开拓进取的精神,为满足客户的需求努力向专业化、优质化、集团化发展。
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